涂层测厚仪/测厚仪/数字式涂层测厚仪 型号:DP-TT240 涂层测厚仪/测厚仪/数字式涂层测厚仪 型号:DP-TT240产品概述: 本仪器是种手持式测量仪,它能快速、无损伤、地测量非磁性金属基体上非导电覆盖层的厚度。可广泛用于在制业、金属加工业、化工业、商检等检测域。本仪器是材料保护业的仪器。本仪器符合以下标准: GB/T 4957─1985 非磁性金属基体上非导电覆盖层厚度测量 涡流方法 JB/T 8393─1996 磁性和涡流式覆层厚度测量仪 JJG 818─93 《电涡流式测厚仪》 涂层测厚仪/测厚仪/数字式涂层测厚仪 型号:DP-TT240功能点: 本仪器采用了涡流测厚法,可无损伤地测量非磁性金属基体上非导电覆盖层的厚度(如铜、铝、锌、锡等基底上的珐琅、橡胶、油漆镀层) z 具有两种测量方式:连续测量方式(CONTINUE)和单次测量方式(SINGLE); z 具有两种工作方式:直接方式(DIRECT)和成组方式(APPL); z 设有五个统计量:平均值(MEAN)、Z大值(MAX)、Z小值(MIN)、测试次数(NO.)、标准偏差(S.DEV); z 可行零点校准和二点校准,并可用基本校准法对测头的系统误差行修正; z 具有存贮功能:可存贮350 个测量值; z 具有删除功能:对测量中出现的单个可疑数据行删除,也可删除存贮区内的所有数据,以便行新的测量; z 可设置限界:对限界外的测量值能自动报警; z 具有打印:可打印测量值、统计值; z 具有与PC 机通讯的功能:可将测量值、统计值传输至PC 机,以便对数据行步处理; z 具有电源欠压指示功能; z 操作过程有蜂鸣声提示; z 具有错误提示功能; z 具有自动关机功能 涂层测厚仪/测厚仪/数字式涂层测厚仪 型号:DP-TT240参数: 测头类型 | N | 测量原理 | 电涡流 | 测量范围 | 0-1250um/0-40um(铜上镀铬) | 低限分辨力 | 1µm(10um以下为0.1um) | 探头连接方式 | 分体式导线连接 | 示值误差 | 点校准(um) | ±[3%H+1.5] | 两点校准(um) | ±[(1%~3%)H+1.5] | 测量条件 | Z小曲率半径(mm) | 凸3 凹10 | 基体Z小面积的直径(mm) | ф5 | Z小临界厚度(mm) | 0.3 | 温湿度 | 0~40℃ 20%RH~90%RH | 统计功能 | 平均值(MEAN)、Z大值(MAX)、Z小值(MIN)、 测试次数(NO.)、标准偏差(S.DEV) | 工作方式 | 直接方式(DIRECT)和成组方式(Appl) | 测量方式 | 连续测量方式(CONTINUE)和单次测量方式(SINGLE) | 上下限设置 | 无 | 存储能力 | 350 个测量值 | 打印/连接计算机 | 可选配打印机/能连接电脑 | 关机方式 | 手动和自动 | 电源 | 二节AA型碱性电池 | 外形尺寸 | 152×47×35mm | 重量 | 370g |
基本配置: z主机 z标准片套(50um 100um 200um 500um 1000um) z铝基体 z二节AA型(5号)1.5V电池 z仪器保护套 可选附件:DP-TA230打印机 四探针电阻率测试仪/四探针电阻率/方阻测定仪 型号:DP-2253 概述 DP-2253型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美 A.S.T.M 标准。 仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。 主机主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成,USB通讯接口。仪器主机所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘和数码开关输入;具有零位、满度自校功能;测试功能可自动/手动方式;仪器操作可由配套软件在PC机上操作成,也可脱PC机由四探针仪器面板上立操作成。测试结果数据由主机数码管直接显示,也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印! 探头选配:根据不同材料性需要,探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具,还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配用探头,也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。 测试台选配:般四探针法测试电阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型测试台。二探针法测试电阻率测试选DP-K型测试台,也可选配DP-D型测试台以测试半导体粉末电阻率,选配DP-G型测试台测试橡塑材料电阻率。 仪器具有测量精度、灵敏度、稳定性好、 化程度、测量简便、结构紧凑、使用方便等点。 仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 三、基本参数 3.1 测量范围 电 阻:1×10-4~2×105 Ω ,分辨率:1×10-5~1×102 Ω 电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm 方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□ 3.2 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定) 直 径:DP-A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm,手持方式不限 DP-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm,手持方式不限. 长()度:测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限. 测量方位: 轴向、径向均可 3.3. 4-1/2 位数字电压表: (1)量程: 20.00mV~2000mV (2)误差:±0.1%读数±2 字 3.4 数控恒流源 (1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A (2)误差:±0.1%读数±2 字 3.5 四探针探头(选配其或加配全部) (1)碳化钨探针:Φ0.5mm,直线探针间距1.0mm,探针压力: 0~2kg 可调 (2)薄膜方阻探针:Φ0.7mm,直线或方形探针间距2.0mm,探针压力: 0~0.6kg 可调 3.6. 电源 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<20W 3.7.外形尺寸: 主 机 220mm(长)×245 mm(宽)×100mm() 净 重:≤2.5kg 数字式四探针测试仪/电阻率/方阻测试仪 型号:DP-2258C 概述 DP-2258C型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美 A.S.T.M 标准。 仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。 主机主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成。仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入;具有零位、满度自校功能;电压电流全自动转换量程;测试结果由数字表头直接显示。本测试仪赠设测试结果分类功能,Z大分类10类。 探头选配:根据不同材料性需要,探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具,还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配用探头,也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。 测试台选配:般四探针法测试电阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型测试台。二探针法测试电阻率测试选DP-K型测试台,也可选配DP-D型测试台以测试半导体粉末电阻率,选配DP-G型测试台测试橡塑材料电阻率。详见《四探针仪器、探头和测试台的点与选型参考》 仪器具有测量精度、灵敏度、稳定性好、 化程度、结构紧凑、使用简便等点。 仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 三、基本参数 1. 测量范围、分辨率(括号内为可向下拓展1个数量) 电 阻:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103 Ω (1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω) 电 阻 率:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103 Ω-cm (1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω-cm) 方块电阻:50.0×10-6 ~ 1.0×106 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ~ 0.5×103 Ω/□ (5.0×10-6 ~ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×103 Ω/□) 2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定) 直 径: DP-A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm,手持方式不限 DP-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm,手持方式不限. 长()度: 测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限. 测量方位: 轴向、径向均可 3. 量程划分及误差等 满度显示 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 常规量程 kΩ-cm/□ kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ --- Z大拓展量程 --- kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ mΩ-cm/□ 基本误差 ±2%FSB ±4LSB ±1.5%FSB ±4LSB ±0.5%FSB±2LSB ±0.5%FSB ±4LSB ±1.0%FSB ±4LSB 4.工作电源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W 5.外形尺寸: 245mm(长)×220 mm(宽)×95mm() 净 重:≤1.5~2.0kg 数字式四探针测试仪/电阻率/方阻测试仪 型号:DP-2258A 概述 DP-2258A型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美 A.S.T.M 标准。 仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。 主机主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成。仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入;具有零位、满度自校功能;电压电流全自动转换量程;测试结果由数字表头直接显示。本测试仪赠设测试结果分类功能,Z大分类10类。 探头选配:根据不同材料性需要,探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具,还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配用探头,也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。 测试台选配:般四探针法测试电阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型测试台。二探针法测试电阻率测试选DP-K型测试台,也可选配DP-D型测试台以测试半导体粉末电阻率,选配DP-G型测试台测试橡塑材料电阻率。 仪器具有测量精度、灵敏度、稳定性好、 化程度、结构紧凑、使用简便等点。 仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 三、基本参数 1. 测量范围、分辨率(可向下拓展1~3个数量,括号内为向下拓展3个数量) 电 阻:1.0×10-3 ~ 200.0×105 Ω, 分辨率0.1×10-3 ~ 0.1×104 Ω (1.0×10-6 ~ 200.0×102 Ω, 分辨率0.1×10-6 ~ 0.1×102 Ω) 电 阻 率:1.0×10-3 ~ 200.0×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-3 ~ 0.1×103 Ω-cm (1.0×10-6 ~ 200.0×101 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ~ 0.1×101 Ω-cm) 方块电阻:5.0×10-3 ~ 100.0×104 Ω/□ 分辨率0.5×10-3 ~ 0.1×103 Ω/□ (5.0×10-6 ~ 100.0×101 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×101 Ω/□) 2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定) 直 径: DP-A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm,手持方式不限 DP-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm,手持方式不限. 长()度: 测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限. 测量方位: 轴向、径向均可 3. 量程划分及误差等 满度显示 200.0 20.00 2.000 200.0 20.00 2.000 200.0 常规量程 kΩ-cm/□ Ω-cm/□ mΩ-cm/□ Z大拓展量程 Ω-cm/□ mΩ-cm/□ μΩ-cm/□ 基本误差 ±2%FSB ±4LSB ±1.5%FSB ±4LSB ±0.5%FSB±2LSB ±0.5%FSB ±4LSB 4) 工作电源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W 5) 外形尺寸:W×H×L=215mm×85mm×190mm 净 重:≤1.5~2.0kg 微量移液器/移液器/微量移液枪 型号:DP27026 产品参数: 1µL~10µL/20µL~200µL/100µL~1000µL/500µL~5000µL 注:产品详细介绍资料和上面显示产品图片是相对应的 |