半导体管特性图示仪 型号：DP-T2B * DP-T2B半导体管特性图示仪可根据需要测量半导体MOS管，二极管、三极管，可控管等的低频直流参数，大集电极电流可达50A，基本满足功率500W以下的半导体管的测试。 * 本仪器还附有高压的测试装置，可对5000V以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试， 其测试电流灵敏度达到0.5uA/度。 * 本仪器所提供的基极阶梯信号还具有脉冲阶梯输出，因此可扩大测量范围及对二次击穿的测量。 *本仪器带阶梯偏置电压(△VB)，-6V～+6V连续可调。适宜大功率VMOS管测试。 1.集电极电流偏转系数 a)集电极电流范围(Ic)：1μA/度～5A/度。按1、2、5进制分21档级，各档误差不大于3％。 b)二极管电流范围(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5进制分9档，各档误差不大于3％。 c)集电极电流及二极管电流倍率×0.5，误差不大于10％。 d)基极电流或基极源电压0.1V/度，误差不大于3％。 2.集电极电压偏转系数 a)集电极电压范围(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5进制分21档级，各档误差不大于3％。 b)二极管电压范围(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5进制分3档级，各档误差不大于10％。 c)基极电压范围(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5进制分7档级，各档误差不大于3％。 d)基极电流或基极源电压:：0.05V/度，误差不大于3％。 3.基极阶梯信号 a)阶梯电流范围(IB)： 1uA/度～200mA/度。按1、2、5进制分17档级，各档误差不大于5％。 b) 阶梯电压范围(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5进制分5档级，各档误差不大于5％。 c) 串联电阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各档误差不大于10％。 d) 阶梯波形：分正常（100）及脉冲二档。脉冲阶梯占空比调节范围为10～40%。 e) 每簇级数：0～10级，连续可调。 f) 阶梯偏置电压(△VB)：-6V～+6V，连续可调。 g) 阶梯作用：分重复、关、单次三档级。 h) 阶梯输入：分正常、零电流、零电压三档级。 i) 阶梯极性：分正、负二档。 4. 集电极扫描电压 a) 输出电压与档级： 0～10V 正或负连续可调 0～50V 正或负连续可调 0～50V 正或负连续可调 0～100V 正或负连续可调 0～500V 正或负连续可调 b) 输出电流容量： 0～10V 50A（脉冲阶梯工作状态时） 0～10V 20A（平均值） 0～50V 10A（平均值） 0～100V 5A （平均值） 0～500V 0.5A（平均值） c) 功耗限制电阻： 0～500KΩ 按1、2、5进制分20档级，各档误差不大于10％。 d) 整流方式： 全波 e) 输出极性： ＋，－ f) 集电极容性电流； 平衡后不超过2uA（10V档） g) 集电极漏电流； 平衡后不超过2uA（10V档） 5. 二极管测试装置 a) 输出电压： 0～5000V 正向连续可调 b) 输出电流容量： 大为5mA c) 整流方式： 半波 6. 其他 a)适配器 (测直插式元器件) 高压测试座、三极管测试座、 3根测试线 b) 重量 约30kg。 c)外形尺寸 300mm×408mm×520mm（W×H×D）。 d)功耗： 非测试状态时： 约80VA； 大功率时： 约300VA。 e) 输入电压： 220V±10％； f) 频率： 50HZ±5％。 g) 示波管： 有效工作面8×10cm。
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