振弦式测缝计 型号：DP-XFJ-1 振弦式测缝计 型号：DP-XFJ-1产品简介
DP-XFJ-1型振弦式测缝计以钢弦作为传感器元件，它以频率传输讯号，不受导线长度限制，抗干扰能力强，不锈钢结构，能在恶劣的环境中长期稳定工作，精度分辨率。用于监测混凝土、岩土、土体和结构物表面裂缝的开合度。
DP-XFJ-1型振弦式测缝计是将埋设固定端的接杆连接弹簧，而弹簧的另端与振动钢弦相连接，当接杆发生位移时，改变了弹簧和钢弦的张力，相应地引起钢弦的振动频率的改变，这频率信号通过电缆传输到读数现场的振弦频率检测仪，振弦频率检测仪便显示出频率数据或模数数据。 振弦式测缝计 型号：DP-XFJ-1规格 规格(mm) 12、25、50、100、150、200
精 度 ±0.1% F•S
非 线 性 < 0.5% F•S
温度范围 -20～80℃ 缘靴缘手套试验机 缘手套试验机 缘靴试验机 型号：DP-GC897
DP-GC897 缘靴缘手套试验机按《电力安全工器具预防性试验规程》要求，对缘靴或缘手套行 化的预防性试验。本试验机由测量装置和数据处理装置两部分组成。
试验范围 20kV 缘靴 30kV 缘靴 低压型缘手套 压型缘手套 其它泄漏电流测量试验 仪器点 试验数据无线传输，低压隔离，对安全 采用电流表保护，表头经久耐用 多达6只试样同时试验，提工作效率 用容器，安装方便快捷 全中文提示，参数显示，操作简单 自动打印检测报告 性能参数 测量泄漏电流范围：交流 0～19.99mA ，分辨率： 0.01 mA 测量精度：误差≤读数 2% ±2 个字 测量装置电池供电工作时间不小于 4 小时 测量装置电池：6V/4AH 免维护铅蓄电池，Z长充电时间8小时 数据处理装置和测量装置的功耗均小于 20W 测量装置：长1300mm×宽600mm×1200mm，重40kg 数据处理装置：长300mm×宽220mm×210mm，重5kg 霍耳效应实验仪 型号；DP-FD-HL-5
霍耳元件因其体积小，使用简便，测量准确度，可测量交、直流磁场等优点，已广泛用于磁场的测量，并配以其他装置用于位置、位移、转速、角度等物理量的测量和自动控制。本霍耳效应实验仪主要帮助学生了解霍耳效应的实验原理，测量霍耳元件的灵敏度，并学会用霍耳元件测量磁感应强度的方法。
DP-FD-HL-5型霍耳效应实验仪具有以下优点：
1．采用砷化镓霍耳元件测量，该霍耳元件具有灵敏度，线性范围广，温度系数小的点，由于霍耳元件的工作电流小，电磁铁的励磁电流也小，因而实验数据稳定可靠。
2．实验电路布局合理，更多地从教学的实际效果和科研的应用考虑。如待测样品和探测元件的形状结构学生可明显观察；用个数字电压表可分别测量霍耳电压和霍耳电流等，实验教学效果很好。
3．仪器具有保护装置，使用寿命长。
本仪器可用于等院校、中的基础物理实验、性实验和演示实验。
应用本仪器可以成以下实验：
1.直流磁场情况下，测量霍耳电流与霍耳电压的关系。
2.测量砷化镓霍耳元件的灵敏度。
3.用砷化镓霍耳元件测量矽钢片材料的磁化曲线。
仪器主要参数：
1．直流稳流电源 量程0－500mA，数显分辨率1mA。
2．四位半数字电压表 量程0－2V，分辨率0.1ｍV。
3．数字式斯拉计 量程0－0. 35T，分辨率0.0001T。 磁阻效应实验仪 型号；DP-FD-MR-II
磁阻器件由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪chao检测、位置测量等。其中Z典型的锑化铟（ InSb）传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（ GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和性实验的点。
该仪器可用于理工科大学的基础物理实验和性综合物理实验，也可用于演示实验。
应用本实验仪可以成以下实验：
1．用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系，观测砷化镓（GaAs）霍耳元件的霍耳效应。
2．用于测定锑化铟（InSb）磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。
3．研究锑化铟（InSb）磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系，行曲线拟合，求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。
4．外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流性（倍频效应），观测其有的物理现象（选做）。
仪器主要参数：
1.双路直流电源
电流范围 0－500ｍA 连续可调，数字电流表显示大小。
电流范围 0－3ｍA 连续可调，供传感器的工作电流。
2.数字式毫计
测量范围 0－0.5T，分辨率0.0001T，准确率为1%。 磁电阻效应实验仪 型号；DP-FD-MR-C
磁电阻传感器由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪shao检测、位置测量等。其中Z典型的锑化铟（ InSb ）传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻传感器，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种类型的传感器：利用砷化镓（ GaAs ）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（ InSb ）磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。
应用该实验仪可以成以下实验：
• 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
• 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
• 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别行拟合。
• 研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流性（倍频效应），观测其有的物理现象。
该仪器具有研究性和性实验的点，可用于理工科大学的基础物理实验和性综合物理实验，也可用于演示实验。
仪器主要参数：
1 ．磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 － 3mA 连续可调。
2 ．数字式毫仪 测量范围 0 － 199.9mT 分辨率 0.1mT ，液晶显示
3 ．数字电压表 测量范围 0 － 1999mV 分辨率 1mV ，液晶显示 注:产品详细介绍资料和上面显示产品图片是相对应的 |
