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 首页>>产品展示>>>>专用仪器仪表>>DP-FD-GMR-B巨磁电阻效应实验仪

巨磁电阻效应实验仪

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产品型号:
DP-FD-GMR-B
产品报价:
产品特点:
巨磁电阻效应实验仪 型号;DP-FD-GMR-B

2007 年 10 月,法科学家阿尔贝 . 费尔和德科学家彼得 . 格林贝格尔因分别立发现了巨磁电阻效应而共同获得了 2007 年诺贝尔物理学奖。 巨磁电阻是指材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时大幅度减小,电阻相对变化率比各向异性磁电阻到两个数量。
  DP-FD-GMR-B巨磁电阻效应实验仪的详细资料:

 巨磁电阻效应实验仪          型号;DP-FD-GMR-B

2007 10 月,法科学家阿尔贝 . 费尔和德科学家彼得 . 格林贝格尔因分别立发现了巨磁电阻效应而共同获得了 2007 年诺贝尔物理学奖。 巨磁电阻是指材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时大幅度减小,电阻相对变化率比各向异性磁电阻到两个数量。

  巨磁电阻材料在数据读出磁头、磁随机存储器和传感器上有广泛的应用前景。用巨磁电阻材料制成的灵敏度读出磁头 ,使磁盘存储密度得到大幅度的提。巨磁电阻传感器可广泛用于 角度、转速、加速度、位移等量的测量和控制中 ,具有灵敏度、 线性范围宽、 寿命长等优点。

  本仪器提供新型巨磁电阻传感器,帮助学生了解巨磁电阻效应的原理及应用,仪器安全可靠,实验内容丰富。 可用于校、中的基础物理实验、近代物理实验及综合性性物理实验。

应用本仪器可成以下实验:

1.了解巨磁电阻效应原理,测量不同磁场下的巨磁电阻阻值RB ,作RB/R0-B关系图,求电阻相对变化率(RB-R0)/R0的Z大值;

2. 学习巨磁电阻传感器定标方法,计算巨磁电阻传感器灵敏度,由巨磁电阻传感器输出电压V输出 ,得到电阻相对变化率(RB-R0)/R0 的Z大值;

3.测定巨磁电阻传感器 输出 电压 V输出与其工作电压V+ 的关系;

4.测定巨磁电阻传感器输出 电压 V输出与通电导线电流I 的关系。

仪器主要参数:

1 .巨磁电阻传感器 线性范围 0.15mT 1.05mT 饱和场强 1.5mT

  灵敏度 30.0mV/V/mT-42.0mV/V/mT

  巨磁电阻阻值 5.0K Ω ± 1.0K Ω 配备电阻 4.70K Ω

2 .传感器电源 提供 1.5V-12V 连续可调

3 .亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 N= 200 匝,半径 10 cm

4 .亥姆霍兹线圈用恒流源 输出电流 0 1.2A 连续可调

5 .测量用恒流源 输出电流 0 5A 连续可调

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